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GaNの人、来てください。

1 :名も無きマテリアルさん:2001/07/03(火) 23:36
GaNの成長って、なんでサファイア上なんですか?

2 :名も無きマテリアルさん:2001/07/03(火) 23:52
UCSBのN村教授は、3冊の本を出してるよ。

3 :名も無きマテリアルさん:2001/07/04(水) 12:43
今日も,実験するよ。暑いね。

4 :名も無きマテリアルさん:2001/07/04(水) 14:17
窒化物の研究はもうやりつくされてるのかなぁ。GaAsですら、まだまだ研究余地残ってるんだから、GaNはもっと熱くなる分野だと思うんだけど、如何?

5 :名も無きマテリアルさん:2001/07/04(水) 16:36
>>4
>GaAsですら、まだまだ研究余地残ってるんだから
たとえば、どのような事でしょうか?
本当に興味があります。

6 :exciton:2001/07/04(水) 16:54
GaNを成長させる時、高温のアンモニア雰囲気中に耐える材料が無く、
サファイア基板を用いてるらしいことを聞いたことがある。

7 :名も無きマテリアルさん:2001/07/04(水) 17:27
>>1
ネタでなくマジレス欲しいのか?

格子定数が近くて(そんなに近くないけど)
高温まで安定+反応なくて
安価に入手できるから

じゃないの?って優香、あんた自分でやってんじゃ
ないのか。 知っててネタふりだったらスマソ。

8 :3:2001/07/04(水) 19:09
GaN出来たよ。
これから,PL測定するよ。

誰か,GaNやってる人いないの?
毎日,研究室だから知り合い少ないんだ。

9 :exciton:2001/07/04(水) 20:03
InGaNやってるヨン

10 ::2001/07/05(木) 09:21
excitonさん、こんにちは。

MOCVDなの?MBE?

11 :laser:2001/07/05(木) 11:39
GaNの格子整合成長やってるよー。
成長法は、この世界ではマイナーなPLDよ。

12 ::2001/07/05(木) 13:55
忘れてたや。
俺は、MOCVDだよ。

13 :exciton:2001/07/05(木) 15:39
3さん、こにちはー。
オレのところもMOCVD(MOVPE)ですよ。

オレはどちらかというと、評価が主ですけど(^^;

14 :exciton:2001/07/05(木) 15:44
>>8
そうそう、昨日のGaNのPL測定どうでしたかぁ?

15 ::2001/07/05(木) 18:09
良くもなく、悪くもなくかな。

イエローが消えんよ。ブルーもちょっと残ってた。

16 :exciton:2001/07/05(木) 20:59
どんなGaN?ELO?

17 :名も無きマテリアルさん:2001/07/05(木) 21:44
一つ、聞きたいことがあるんだけど、GaNのLEDとかLDが商品化されてるのに、なぜ、GaNをやろうとするんですか? これは、別にけんか売ってるわけじゃなくて、素朴な疑問です。わたしもGaNの研究やってるから、他の人がどういうモチベーションをもってやってるのかが知りたいんです。

18 :名も無きマテリアルさん:2001/07/05(木) 22:11
あなたの研究目的は?

19 :名も無きマテリアルさん:2001/07/06(金) 10:19
さあ、なんなんでしょう?
一言でいうと、成長です。

20 :材料科学科:2001/07/06(金) 12:01
 企業入ってから、化合物半導体やりたいんですが、通信用デバイス関係
でいい本があったら教えて下さい。
 ちなみに私は、酸化物(Mn)の強相関系やってます。

21 :3:2001/07/06(金) 21:06
>>16
普通?のGaNだよ。
まだ、基礎的なデータ取りだから、いろんな条件ふってるの。
設備なくて、プロセス工程はできないんです。(ToT)

22 :exciton:2001/07/06(金) 21:35
>>18
研究目的:「発光機構解明」

23 :名も無きマテリアルさん:2001/07/07(土) 15:03
住電のGaN基板って使ってる人います?
何か良い特性でますか or メリットありますか?

2-inchでしたっけ、幾らくらいするんでしょう。
大学で少しだけ使う場合も売ってくれるんですかね。

24 :名も無きマテリアルさん:2001/07/08(日) 00:11
2インチで50万って聞いたことあるよ。あれだと、普通にELO使うのと同じ気がするんだけどなぁ。それに住電のは、ELOに厚膜のせて剥がしたやつらしいから、同じだと思いますよ。
それより、無転移ねらうなら、やっぱ格子整合系じゃないですか?けど、CVDとかMBEでは無理だと思いますよ。というわけで、新しい成長法が急務!!

25 :名も無きマテリアルさん:2001/07/08(日) 19:42
23です。なるほど、どうもありがとう。

26 :名も無きマテリアルさん:2001/07/09(月) 07:12
>>24

すいませんド素人学生なんですが、
無転位狙う場合の「格子整合系」って何でしょうか?
あと、CVD,MBEでない新しい成長法ってどんなコン
セプトが考えられるんでしょうか?

27 :?b?l?q:2001/07/09(月) 10:42
>>26
PLD

28 :名も無きマテリアルさん:2001/07/09(月) 10:55
↑ 両方答えてあげなよ。
あとコンセプト訊いてるんじゃないの。

29 :24:2001/07/09(月) 19:20
24 is not 27.
PLDが多分最も有力だと思います。非平衡場だし、低温でできるし。
格子整合系ってのは、GaNと格子整合する基板上に成長する系のことのことです。
そんじゃ。

30 :名も無きマテリアルさん :2001/07/09(月) 21:27
26です。どうもありがとうございます。
でその基板とは具体的にどんなものですか?
上の話しからするとGaN自体じゃないんですよね。
サファイヤもSiCも違いますよね。

31 :24:2001/07/09(月) 21:34
それは、ひ・み・つ。

32 :名も無きマテリアルさん:2001/07/09(月) 23:12
パルス・レーザ・デポジションって、
イマイチようわからん。

33 :名も無きマテリアルさん :2001/07/10(火) 08:20
26です。

>>31(=24)さんに限りませんが、ZnOとかLiGaO2
(化学式自信ない)の基板なんでしょうか。これ
らの単結晶基板って今のところ造れない(造る
の難しい?)ですよね。ヒントでもくださいませ。

34 :名も無きマテリアルさん:2001/07/10(火) 10:28
>>33
今年の春の応物の予稿集読めば?

35 :名も無きマテリアルさん:2001/07/10(火) 13:15
26です。

>>34 さん、その手がありましたね。早速見たん
ですがわかったようなわからないような...。
でもとにかくありがとうございました。

36 :名も無きマテリアルさん:2001/07/12(木) 17:46
ZnSeやってます。就職活動では多いに笑われました。曰く「うちはやってません」、「どこがやってますか?」、「まだやってんの」

37 :名も無きマテリアルさん:2001/07/12(木) 20:21
>>36
どこの大学?

38 :名も無きマテリアルさん:2001/07/12(木) 20:49
それを言うと研究室までばれてしまうっす。中村修二氏曰く「ZnSeをやっている大学は殆ど無い。企業は全く無い」なので。

39 :名も無きマテリアルさん:2001/07/14(土) 02:02
>>38
企業では住友がやってる。
白色LEDで。

40 :名も無きマテリアルさん:2001/07/14(土) 02:03
>>38
大学予想してもいい?

41 :名も無きマラリアルさん:2001/07/14(土) 02:57
やってる大学けっこうあるんじゃない?

42 :名も無きマテリアルさん:2001/07/14(土) 21:42
今日の新聞で,高性能白色ダイオード用の技術移転が京都大・大阪大から日亜化学に行われるらしいって書いてあったよ。
白色も青もGaNの天下ですな。

43 :名も無きマテリアルさん:2001/07/15(日) 19:52
>>42
白色はまだ分からないと思うよ。

44 :名も無きマテリアルさん:2001/07/15(日) 22:16
>>38
山口、岡山理科、京都、山梨、筑波、東北、北海道のどれかでしょ?

45 :名も無きマテリアルさん:2001/07/16(月) 10:39
>>43
GaNの他にどんなのあるの?
GaNの白色って結局、別の蛍光体層が要るんだよね?

46 :名も無きマテリアルさん:2001/07/18(水) 09:58
白色ダイオードage

47 :名も無きマテリアルさん:2001/07/18(水) 10:11
>>45
白色は、ZnSeで住友が携帯のバックライト用で売ってるじゃないの?
少し前のNEに書いてあったと思うけど?違った?

確か、イエローが消えないんで、それを逆手に取って、
青+黄で白色発光させるという内容だったと思うんですが、違った?

48 :名も無きマテリアルさん :2001/07/18(水) 20:03
>>47
45です。あっ、それ読んだ気がします。どもありがと。

49 :名も無きマテリアルさん:2001/07/23(月) 01:32
白色ダイオードって蛍光灯の替わりになるのいつ頃だと思う?
あと、白色の研究が進んでいるって思われている研究機関、会社
ってどこなんでしょう。(除くUCSB)

50 :名も無きマテリアルさん:2001/07/24(火) 18:37
訴訟合戦はいつおわるのやら。

51 :名も無きマテリアルさん:2001/08/01(水) 19:04
ICNS4行った人いるの。
何が、一番の話題でした?

52 :マスター:2001/08/01(水) 19:56
しかし、なぜGaNのみではいけないのですか?

サファイヤ基板の上に堆積させるとどういったことが起こるんでしょうか?

53 :名も無きマテリアルさん:2001/08/01(水) 20:36
ELOって何ですか?

54 :名も無きマテリアルさん:2001/08/03(金) 00:40
>49
トヨタ車にはLED使用の車内照明を採用されているものあり。
最近じゃー効率もだいぶあがってきたから
あと一息で採算が取れるようになるのでは?

55 :名も無きマテリアルさん:2001/08/03(金) 00:42
>52
GaN基板がない(なかった)からサファイアなんだ。
最近やっとこできてもコストがかかりすぎてはっきり言って、
商売にはならんやろ。

サファイア上に積むのも簡単じゃねーんだ。

56 :名も無きマテリアルさん :2001/08/03(金) 08:33
>>52
薄膜で自己支持できないので、何か土台がいるでしょ。
それがAl2O3単結晶って訳。>>8を参考にしてちょうだい。

>>53
エレクトリックライトオーケストラの略(古...
疑問に思ったら、何か本、雑誌で調べる。
それができなければネットで調べる
例えばgoogle ELO*GaN
そうすればこういうのが見つかる。
http://www.riken.go.jp/r-world/info/release/press/2000/000217

57 :名も無きマテリアルさん:2001/08/04(土) 06:02
メチャクチャ基本的な質問だと思うんですが、
サファイア基板とSiC基板のメリットデメリットってなんですか?
お願いします。

58 :名も無きマテリアルさん:2001/08/04(土) 09:43
はじめまして。成長形の研究室に配属になった学部4年
のものです。この分野の院へ継続して進学することになっている
のですが就職等が少し不安です。どういった系統への就職
が多いのでしょうか。

59 :名も無きマテリアルさん:2001/08/05(日) 08:09
>>42
Eu錯体の蛍光体で今まで弱かった赤色成分を増やすらしい。

>>57
雑誌・本などで調べるか、あるいはWebで調べて、自分
なりの見解を出して見れば?そしたら足りない分、間違
いを誰かがフォローしてくれるよ。

>>58
就職が不安という意味が良く分からん。どんな就職先が
多かろうが、他の人は関係無く、自分のやりたいように
すれば良いだけの事かと思うが。

60 :57:01/08/29 20:45 ID:4ol2hXxc
サファイア
・メリット:上に良いGaNができる
・デメリット:絶縁性だから、同一面で電極をつけて、発光面が小さくなる(?)

SiC
・メリット:導電性だから、上下に電極つけられる
・デメリット:良いGaNができない

という結論になったのですが、あってます?
>>59さん

61 :名も無きマテリアルさん:01/08/29 23:10 ID:iBqBcYPA
59だけど、
Al2O3単結晶については、
・メリット
良質のGaN膜ができるってのはちょっと違うと思うぞ。
>>7にあるように、格子定数がGaNに比較的近くて、
高温まで安定+反応がなくて、安価なこと。
・デメリット
基板とGaNの劈開面が一致しない、熱伝導が低い。

SiC単結晶
・メリット
導電性に加えて、SiC基板とGaNの劈開面が一致すること、
熱伝導が高い。
・デメリット
高価(=良質の単結晶が得にくい)

だと思うが、私は専門でもないので、他の方にフォロー
訂正していただくと宜しいと思う。

62 :57:01/08/30 02:37 ID:v.OPO.Ho
>>61
thanx!
勉強になりました。

63 :とおりすがり:01/08/30 04:20 ID:9igm8LJs

>Al2O3単結晶については、
>・メリット
>高温まで安定+反応がなくて・・・

アンモニアの雰囲気だとMOCVDの成長温度ではぎりぎりだと思うけど

>SiC単結晶
>・メリット
>導電性に加えて、SiC基板とGaNの劈開面が一致すること、

ヘテロ界面の抵抗が高くて、現状では実質的な駆動電圧、電力は大きくなっていて
導電性のメリットはないのでは?と思うのですけど・・

私には、ヘテロ界面の問題は本質的に解決できないような気がするのですが・・

>熱伝導が高い。劈開面・・・については

LED程度なら問題にならないのでは(人それぞけ考え方はあるけど・・

ついでに、PLDって本当に有望?
低温すぎてメリットというよりもデメリットとしては、
マイグレーションしないし、そのせいで欠陥だらけそうだし
多結晶膜や高配向膜まではいけると思うけど
(粒界の界面はよう欠陥の集まりでしょ)
エピタキャルさせるのは???じゃないかな

64 :名も無きマテリアルさん:01/08/30 09:56 ID:i26H5.Tc
それにしても、中村さんには裁判勝ってほしいな。
あと、ロームの開発した特許技術を知ってる人、教えて貰えませんか。

65 :名も無きマテリアルさん:01/08/30 12:34 ID:DRge2E2c
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http://www.tkcity.com/renbbs/1/user/daiken.html

66 :3:01/09/06 11:42 ID:qQRGJtxU
応物発表される人はいるんでしょうか?
ただ今、発表資料製作中です。
普通は、もうほとんど完成して、練習してるもんなんでしょうか?

先生も会議に行ったし、煮詰まってしまいました。

67 :名も無きマテリアルさん:01/09/06 20:34
応物、そろそろ準備しよっかな。
2時間でおわらそう。

68 ::01/09/06 22:01
7

69 :名も無きマテリアルさん:01/09/07 21:17
とうとうGaNで透明磁石できたね。(Tc=660度)
ディテルさんが予想してたんだけど、本物だったんだ。
これで酸化亜鉛は本当に終わりだね。

70 :名も無きマテリアルさん:01/09/07 23:28
先を越されたので,おソースをかけてみる.

http://biztech.nikkeibp.co.jp/wcs/show/leaf?CID=onair/biztech/elec/141075

71 :名も無きマテリアルさん:01/09/08 23:08
>>69-70
ど素人なんですが、Mnってどれくらいの濃度で
どのサイトにどういう風に入っているんですか?
あと、その強磁性を予想した論文を教えて頂け
ませんか?

72 :名無しさん@1周年:01/09/09 17:06
東北の大野先生の論文を見ればリファレンスにのっているよん。
ネイチャーもしくはサイエンス。
吉田理論も同じことをやっているようだが。
GaAs系はどうなるの。
北陸先端大より。

73 :名も無きマテリアルさん:01/09/09 23:43
スピン注入だっけ、確かスピントロニクスデバイスで使うのは。
GaAs系で希薄磁性はたしかキュリー温度が室温よりかなり低かったはず。
すごいな、GaNは。GaAsをおいぬいて化合物半導体のあらゆる面で頂点にたちそうな勢い
だな。ただ、そのMnはp型活性化されてるのかどうかが気になるな。
それにしても面白そうだ。やってみようかな。

74 :名も無きマテリアルさん:01/09/10 06:31
>>72
71だけど、どもありがと。見てみる。

75 :名も無きマテリアルさん:01/11/02 17:50
GaNの研究やってるけど教授が自分勝手なことばっかりやって
生徒の意見いっこも聞かないから、全然研究進まない。
教授も生徒の意見聞くべきだね。
ほんとあの教授は最悪だ、ここに名前書いてやりたいよ。
教授でも最低限の社会常識ぐらい勉強してもらわないとほんと困るね。
パソコンもろくに治せないでやんの。都合のいい時だけ生徒使いやがって・・・

76 :助手:01/11/03 15:54
うちのボスのことかな?
さっき、学生が↑のようなこと言って怒っていた

77 :名も無きマテリアルさん:01/11/03 18:23
たぶん違うと思いますけど、どこの教授もいっしょだね。
でもうちのは助教授か、まっ、教授になれるわけないか

78 :名も無きマテリアルさん:01/11/04 00:36
>>75 危険じゃなければ自分の考えで実験、アングラで進めたらどう。
うまくいってから報告したらいいんだし。

79 :名も無きマテリアルさん:01/11/05 17:37
>>78アングラでやって、いいのでたから報告しても無視された
ちょっと成績悪いからって生徒ばかにしすぎ

80 :名も無きマテリアルさん:01/11/29 01:12
TR大のO川研さい○−。○に入るのがどちらの文字かは自分で確かめよう。

81 :名も無きマテリアルさん:01/11/29 18:25
80って75と同一人物?

82 :名も無きマテリアルさん:01/12/01 02:36
GaNの研究をしていると就職にいいんですか。
DQNな質問でスマソ。

83 :名も無きマテリアルさん:01/12/01 19:22
GaNは就職には役立たんでしょ。
まぁ人生の役にも立たんが…

84 :名も無きマテリアルさん:01/12/04 10:43
うちの研究室は人身売買やってるんだ。
すごいでしょ。

85 :名も無きマテリアルさん:01/12/04 10:47
そうそう、たいした額でもないのに学生をしばりやがる!

86 :名も無きマテリアルさん:01/12/04 14:59
>>81
80と75は別人物
GaNの研究しても就職には全く役に立たない。
物性関係にいきたければ役に立つけれど・・・
ちなみに、うちは10人中役に立ったの1人だけ

87 :名も無きマテリアルさん:02/01/26 18:35
根性ある学生の方、墨電に来て下さい。
化合物一緒に頑張って作ろう。

88 :名も無きマテリアルさん:02/01/26 19:05
うちはSiC上に成長しているがなにか?


89 :名も無きマテリアルさん:02/01/28 19:14
Y. Arakawa

90 :名も無きマテリアルさん:02/01/28 20:46
>>87
2−6ヤッテマスガ駄目ですか?

91 :名も無きマテリアルさん:02/01/28 22:33
>>90
Zn(O, Se, Te)のどれ?

92 :名も無きマテリアルさん:02/01/28 22:35
>>90
3-5も2-6も、ここぞ正念場と頑張ってます。

93 :名も無きマテリアルさん:02/01/28 23:04
>>91
Seデス(泣)
CdSeもっやっていますが何か?(涙目)

94 :名も無きマテリアルさん:02/01/28 23:16
お?おお?
いるなぁ。なんかいいぞ。

>>92
それだけでもう、
「2-6 on 3-5 ヘテロエピ」のかほりがする。
>>93
あなたは「CdSe on ZnSe」の気配がする。
しかも、Se面でCd照射の気配。

がむばってくれ。

95 :94:02/01/28 23:18
名前が抜けた。
94=91。

96 :名も無きマテリアルさん:02/01/29 16:58
Y. Arakawa

97 :名も無きマテリアルさん:02/02/04 00:49
age

98 :名も無きマテリアルさん:02/02/15 09:30
これからは、BAlGaN系が絶対来る!!
BAlGaNなら、SiCと格子定数が一致させられるぞ。
ボロン最高。

99 :名も無きマテリアルさん:02/02/15 12:59
→98 甲賀区員?

100 :名も無きマテリアルさん:02/02/15 13:58
>>99
ちがうよ。オレは黄河区員じゃない。
でも、B系は黄河区員が始めたんだよね。

101 :名も無きマテリアルさん:02/02/15 16:21
>>98

友人がそのテーマでDr取ったよ。

102 :99:02/02/16 13:42
>>101
Kモト氏?

103 :Y本:02/03/05 13:44
GaN/Sapphireはミスマッチによる転移が多いことで有名ですが、
pn接合時の界面準位も多いのでしょうか?

104 :名も無きマテリアルさん:02/03/06 00:09
age

105 :名も無きマテリアルさん:02/03/14 18:21
三洋電機がGaN基板のレーザー開発したね。

106 :名も無きマテリアルさん:02/03/14 21:10
サファイアって化学エッチングできないかなあ?

107 :名も無きマテリアルさん:02/03/14 22:31
>>105
漏れも”GaN基板”使っているって見たんだけど、
どこから買ってるのかね。墨殿?

108 :名も無きマテリアルさん:02/03/15 13:57
>>105
イオン注入技術によりpn制御をしているようだけど、
日亜の特許には引っかからない訳ですか?

109 :NEC:02/04/07 21:23
常温で磁性体になった件はどうなったの?

110 :名も無きマテリアルさん:02/04/13 00:41
MnドープGaN?

111 :名も無きマテリアルさん:02/04/21 01:24
InNのバソドギャップは1.9eVとされていたが、
実験で長波長(1400nmクライ?)の発光を確認した という論文を教えれ。
自分はGaNの人ではないので、チェック遅れてしもた スマソ オネガイ。

112 :名も無きマテリアルさん:02/06/22 18:39
Appl.Phys.Lett. 80, 3967 (2002).

113 :名も無きマテリアルさん:02/08/12 14:01
和解あげ

114 :名も無きマテリアルさん:02/08/12 14:10
うんこ板に遊びに来てくださいです。。
http://jbbs.shitaraba.com/news/532/unkounko.html

115 :名も無きマテリアルさん:02/08/29 16:51
>>109
GaNの中でMnが部分的に固まっていて、
そのMnの強磁性が出ただけだった(?)
っていう話を最近聞いたけど。

116 :名も無きマテリアルさん:02/09/05 23:42
MOCVDで成長してるんだがヒーターが良くいかれる。
それにメチャ高い。
予算の半分がヒーター代じゃ。


117 :名も無きマテリアルさん:02/09/07 03:42
>>116
ランプ?抵抗加熱?高周波?

118 :名も無きマテリアルさん:02/09/07 23:41
>>117
抵抗加熱す。
なんでRFの炉にしてくれなかったんじゃ・・・。


119 :名も無きマテリアルさん:02/09/18 14:56
どなたかMPCVDで作ってる方いませんか??

120 :名も無きマテリアルさん:02/09/18 15:04
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121 :名も無きマテリアルさん:02/09/20 02:18
http://www.asahi.com/national/update/0919/020.html
日亜に特許権が認められたage

122 :名も無きマテリアルさん:02/10/09 14:23
AlGaNの成長温度は下げれませんかねえ?

123 :名も無きマテリアルさん:02/10/09 14:27
室温成膜

124 :名も無きマテリアルさん:02/10/09 15:04
うーん。あの超触媒かあ。

125 :名も無きマテリアルさん:02/10/09 17:08
そう!
あれを使えば・・・。


126 :名も無きマテリアルさん:02/10/10 15:00
タングステンにRuでも混ぜて使うのかねえ?
ほんとか?


127 :名も無きマテリアルさん:02/10/14 06:31
>>115
クラスターですか、残念。
でもそれだったら真っ黒けな試料になりそうな感じがするけど
どうなんでしょ?

128 :名も無きマテリアルさん:02/10/16 23:21
なんか最近は深紫外とかいう造語を作って大したインパクトもない
方向に逃げている研究グループがあるようだね。

129 :名も無きマテリアルさん:02/10/17 01:04
ガリウムのX線ピークきぼーん

130 :名も無きマテリアルさん:02/10/28 10:11
アルガン インガン アルガンガン
かるかん きんがん なうまんぞう

131 :名も無きマテリアルさん:02/11/02 01:08
>>130
しょーもない

132 :名も無きマテリアルさん:02/11/07 09:14
星和電機ってなんで急上昇してきたんですか?
みなさん地下でしのぎけずってんのかなあ。。。


133 :名も無きマテリアルさん:02/11/10 00:33
 131
130がしょうもないのはあきらか。
 その他コメントがなにもないのもしょうもない。
 漏れもしょもないってことかあ..

134 :GaN:02/11/15 16:55
age

135 :名も無きマテリアルさん:02/11/27 02:56
age


136 :名も無きマテリアルさん:02/12/07 03:35
成長速度どのくらい?

137 :名も無きマテリアルさん:02/12/08 15:02

基板の窒化はどのくらいやってますか?

138 :名も無きマテリアルさん:02/12/12 02:58
RHEED像がスポッティーなのですが、なにか?

139 :名も無きマテリアルさん:02/12/12 09:59
>>138
同志ハケーン(w

140 :名も無きマテリアルさん:02/12/13 15:31
>>136
ってか、膜すら乗らないのですが、なにか?

141 : :02/12/13 15:34
http://www2a.kagoya.net/~adults-toybox/sample1.wmv
http://www2a.kagoya.net/~adults-toybox/sample2.wmv
http://www2a.kagoya.net/~adults-toybox/

142 :名も無きマテリアルさん:02/12/14 22:41
サファイア窒化するとRHEEDどう変わるの?

143 :名も無きマテリアルさん:02/12/27 15:19
>>142
Al2O3の表面がAlNになります。
当然表面を構成する物質の格子定数が変わるから・・・(以下略)

144 :山崎渉:03/01/06 15:37
(^^) 

145 :名も無きマテリアルさん:03/01/07 02:06
応物の予稿〆切が近付いてきたので,あげておきます

146 :いお:03/01/07 02:18
jk

147 :名も無きマテリアルさん:03/01/14 02:37
応物予稿出した?

148 :名も無きマテリアルさん:03/01/14 08:14
>>147
なんか、17時を過ぎても受け付けてもらえたんだけど…

149 :名も無きマテリアルさん:03/01/14 13:52
>>148
〆切過ぎても2-3日はOK、ってのが暗黙の了解みたい
1週間過ぎたって大丈夫とかいうセンセイも時おりいます

150 :えと:03/01/14 14:51
まじかよ!!

http://www.hi-net.zaq.ne.jp/bubbs207

151 :名も無きマテリアルさん:03/01/17 02:58
今年の応物は横浜か ありがたいな
前回の新潟は電車もバスも全然無かったし、本当に大変だった

152 :名も無きマテリアルさん:03/01/17 06:31
     ∧_∧
    ( ´∀`)<http://www.boreas.dti.ne.jp/~keitarou/ten.html
    /,   つ
  ( ((_(_, )) )
     しし'

153 :名も無きマテリアルさん:03/01/22 23:39
ICNS5のabst出した人いる?

154 :名も無きマテリアルさん:03/01/23 22:21
MOCVDで減圧でAlGaNエピしてたことあってそのときは固相比と気相比が
1:1に近かったんだけど、常圧とかそれに近い条件でやっている人
の話を聞くとAlがなかなか入らないらしい。実際そうなの?それとも
そこの条件が悪いだけ?



155 :名も無きマテリアルさん:03/01/23 23:34
>>153当方出しましたどのくらいの割合で accept されるんですか?

156 :名も無きマテリアルさん:03/01/23 23:50
ここでつか?役立たずの給料泥棒どもが
集うレスというのは

157 :名も無きマテリアルさん:03/01/24 00:29
>>155
私が聞きたいぐらい(w
ま,私は駄目でしょうけど…上がうるさいんです.出せって


158 :名も無きマテリアルさん:03/01/28 02:58
星和電気が でかい MOCVD 買う(買った?)みたい。
EMCOREサイトにリリースが。あんなでかいの分布は大丈夫なんだろうか?
日本酸素でなくても高輝度は作れるのか?
それとも台湾製みたいなの作るのか?

159 :名も無きマテリアルさん:03/01/28 06:48
便利な世の中になったもんだ・・・
http://homepage3.nifty.com/digikei/ten.html

160 :bloom:03/01/28 08:31
http://www.agemasukudasai.com/bloom/

161 :名も無きマテリアルさん:03/02/02 00:04
ちちちちちちちちちきしょーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー!!!



162 :名も無きマテリアルさん:03/02/02 00:25
MOCVDの水素で爆氏してぇ。

163 :名も無きマテリアルさん:03/02/02 00:39
有機金属を撒き散らすのは,やばいんではないかと

164 :名も無きマテリアルさん:03/02/10 01:41
シラン使ってるなら簡単に爆死できるよ

165 :名も無きマテリアルさん:03/02/11 01:40
>154
AlGaNは減圧の方がいいはずだよ

166 :名も無きマテリアルさん:03/02/11 05:33
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168 ::03/02/12 20:18
Gas Source MBEでZinc-AlNってできるのかよぉ〜(大泣

169 :名も無きマテリアルさん:03/02/15 02:45
>>168
Nのソースは?

170 :名も無きマテリアルさん:03/02/15 03:32
>>169
っていうか、それを書くと大体どこの研究室か分かるんじゃねーの?
MBEなんだし

171 :855:03/02/15 12:45
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172 :名も無きマテリアルさん:03/02/22 17:35
AlNって塩酸で溶けるの?


173 ::03/02/25 10:48
>>172
AlN, GaN, InNは室温では侵されないはず。
文献いる?

174 :172:03/02/25 12:34
>>173 
文献、ご存知でしたら教えて頂けるとありがたいです


175 ::03/02/26 00:27
えーっと,とりあえず
J.R. Mileham, et al, "Patterning of AlN, InN and GaN in KOH-based solutions",
J. Vac. Sci. Technol. A, 14, 836(1998).

とか
D.A. Stocker, et al, "Crystallographic wet chemical etching of GaN",
Appl. Phys. Lett, 73, 2654(1998).

とか
J.R. Mileham, et al, "Wet chemical etching of AlN",
Appl. Phys. Lett, 67, 1119(1995).

あたりを抑えておくと宜しいかと思います.私の所では AlがOver richで析出した場合
硝酸を使っとりますです.

176 :名も無きマテリアルさん:03/02/28 15:10
ICNS5通った香具師!挙手…

ウワワーン

177 :172:03/03/02 05:52
>>175
うわーん 大変参考になります、ありがとうございました。
ウチではOver richなAl取るのには塩酸使ってます Mo基板の裏に
付いているマウント用のInを取るのと一緒にやってしまえ、という
ことで。
塩酸ではなく硝酸を使われる特別な理由はあるのでしょうか?

178 :172:03/03/02 05:54
Mo基板→Moブロックに乗せる基板
です。眠くてボケてた

179 :名も無きマテリアルさん:03/03/02 06:32
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180 ::03/03/02 13:22
>>177
いろいろ使ったんですが,アルカリはNitride系を侵蝕してしまい,膜が剥離しました.
ついでに基板も侵すし.

酸で硝酸なのは,
当研究室で使う基板が,硝酸に対するエッチングレートが小さい事と
濃硝酸,稀硝酸では振る舞いが違う事です.

塩酸は,偶々無かったので使わなかったんですね.

#こういう理由があって,使ってるんですよ.先生見てます?(w

181 :名も無きマテリアルさん:03/03/04 05:47
ICNS通りました。

182 :名も無きマテリアルさん:03/03/05 22:57
なんか、溶ける溶けないの話なので・・。

高校生に、家庭教師で化学を教えていたら・・。
「サファイアは、酸にも塩基にも溶ける・・。」
と教科書に書いてあったので、なんか納得いかないような気がしながら
その通り教えてしまいました。
どうなんでしょう。

183 ::03/03/06 00:18
サファイアって,Al2O3で Al2O3は両性酸化物だもん
Al,Ga,Inこの辺りは,酸でも塩基でもやられるはず.

184 :182:03/03/06 00:56
>サファイアって,Al2O3で Al2O3は両性酸化物だもん
>Al,Ga,Inこの辺りは,酸でも塩基でもやられるはず

実際問題として、必死にGaNを溶かそうとしてもサファイアはほとんど
溶けていないようです。
やっぱ、温度等の条件があるのでしょうか?

185 ::03/03/06 01:44
そもそも,Al2O3でGaNを作り始めたのかは >>6 にある通り
侵されるといっても,結構シブトイのではないのでしょうか?

186 :182:03/03/06 08:08
>185
ありがとうございます。
まったくもってかなりシブトイですが、やっぱり溶けることは溶けるんでしょう。

>いろいろ使ったんですが,アルカリはNitride系を侵蝕してしまい,膜が剥離しました.
ついでに基板も侵すし.

Nitrideとしか書いていませんが・・
GaNってアルカリには結構とけるんでしょうか?

昔、GaNのケミカルエッチングは、難しいようなことを聞いたことがありますが・・。





187 :bloom:03/03/06 08:33
http://www.agemasukudasai.com/bloom/

188 ::03/03/06 14:29
>>182
いや?それはGa極性の場合かと,N極性の場合溶けると言う記憶があります.

そういや,応物の今月号に極性で溶けてないところとそうでないところが出ている
奴がありましたね.

189 :182:03/03/07 19:30
極性で溶ける溶けないが・・違うと・・。
化学の電池や電気分解なんかとあわせて、うまいこと説明できたらかっこいいなぁと・・。

>●さん

応物って、本になってる奴ですか?

190 :182:03/03/07 19:32
3月号、今来ました・・。
必死に量子コンピュータの2月号を探していました・・。。。。
しくしく。

191 :waiwai:03/03/07 19:33
http://asamade.net/web/

出会い系ビジネスに参加しませんか


192 ::03/03/12 13:57
応物まで,後2週間…皆様如何お過ごしでしょうか?
休んだのって,何週間前の話かな

極性うんぬんの話はGoogleでも引っかかると思います.

193 :山崎渉:03/03/13 12:56
(^^)

194 :名も無きマテリアルさん:03/03/18 00:59
応物まで10日age

195 :▽(・o・)▽:03/03/21 09:25
次の応物に間に合うように・・がんばろう。(T-T)

196 :山崎渉:03/04/17 09:05
(^^)

197 :山崎渉:03/04/20 04:28
   ∧_∧
  (  ^^ )< ぬるぽ(^^)

198 :名も無きマテリアルさん:03/04/22 14:49
いまさらですが、
応物みなさん、どうでした?

食べ物MAPがあったのは、良かったなぁ。
(つかわんかったけど・・・)
六角屋で、食べました。


199 :動画直リン:03/04/22 14:51
http://homepage.mac.com/hitomi18/

200 :名も無きマテリアルさん:03/04/22 14:53
http://yahooo.s2.x-beat.com/linkvp/linkvp.html

201 :名も無きマテリアルさん:03/04/23 00:44
>>198
交通の弁が良かったので楽だった……駅からちょっとは歩いたけど、
許容範囲。前の新潟に比べると。
ってか、他のどの発表見ても自分のより圧倒的に優れているように
見えてしまった……妄想か現実か。

202 ::03/04/23 01:02
さて,ぶっちゃげ 今度は福岡

その前に ICNS5ですか,奈良ですか…微妙なところだなぁ,おい

203 :198:03/05/09 11:28
>>201
春は、交通の便のいいとこが多いみたいですね。
秋の地方だとやっぱり駅からバスっていうのが多いみたいですね。

発表に関しては、うちの先生は有名ではないみたいなので・・・
その前に、聞いてても発表の内容がよーわからん発表もあったりで・・・
お勉強しないとなぁ・・・



204 :名も無きマテリアルさん:03/05/09 12:14
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205 :山崎渉:03/05/21 21:57
━―━―━―━―━―━―━―━―━[JR山崎駅(^^)]━―━―━―━―━―━―━―━―━―

206 :山崎渉:03/05/21 23:39
━―━―━―━―━―━―━―━―━[JR山崎駅(^^)]━―━―━―━―━―━―━―━―━―

207 :名も無きマテリアルさん:03/05/27 19:28
山崎渉 さんよ。ほかにすることねーのかよ?
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ほれ!ほれ!どーだ?
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211 :bloom:03/05/27 20:23
http://homepage.mac.com/ayaya16/

212 :名も無きマテリアルさん:03/05/27 21:39
やっぱMBEなわけ?                        

213 :名も無きマテリアルさん:03/05/27 22:42
MOCVDじゃねーの?

214 :山崎渉:03/05/28 14:32
     ∧_∧
ピュ.ー (  ^^ ) <これからも僕を応援して下さいね(^^)。
  =〔~∪ ̄ ̄〕
  = ◎――◎                      山崎渉

215 :名も無きマテリアルさん:03/06/01 16:47
InNが難しい理由は
NH3の分解温度がInNの乖離温度550℃以上と
あとなんだっけ?

216 ::03/06/01 20:05
砒素系から窒素系に来ようとするMBEな人いますかー?

icns5が終わったので気分がいいので,
砒素系では逝けるのに窒素系では逝けないアレコレをぶちまけちゃおうかな(w

217 :名も無きマテリアルさん:03/06/01 20:22
>>216
いろいろぶちまけてください.おながいします

218 ::03/06/01 20:53
今日のぶちまけ
砒素の時はあまりV/III比について気にしませんでした.
精精 (2 X 4)とか(4 X 4)を砒素圧で気にするぐらいな物で
Gaと砒素さえ出したらGaAsが出来た物です.

nitrideは違います.(w V/III比がもろにきます.
困った事に,V/III比が少しでも狂うと液滴が生じます.
RHEEDと直接観察により装置の前から動けません(w

気が向いたらまたぶちまけます

219 ::03/06/02 22:27
ニヤニヤ 今日もぶちまけ
今日のお題は真空度,砒素系だとそこそこの排気量でもUHVにいけますね.
というか,そういう装置を買いましたよね.
中規模MBE装置-大学の研究室にあるレベルのものでいって…

実効排気量200 [l/s]以下の人
(・∀・)カエレ 成長量が0.1 um/h以下になるかも知れません.
実効排気量200-500[l/s]の人
(・∀・)ガンガレ!! 成長量は 0.2-0.4 um/hぐらいかな?
実効排気量500-1000[l/s]の人
(・∀・)イイ!! うまくしたら 1.0 um/hを超えるかも
実効排気量1000-[l/s]の人
キタ━━━(゚∀゚)━( ゚∀)━( ゚)━( )━( )━(゚ )━(∀゚ )━(゚∀゚)━━━!!!!!
ガンガン マク ツクレ ゴルァ!!

でもね,イオンポンプは-5乗Torr辺りからあてにならないですよん.
実効排気量が200[l/s]以下の人で成長室に大き目のTurboが付けられない装置
を買ってしまった.
貴方!
前途多難です.研究費に当てが無い場合nitrideはしばらく見送った方がいいかも…

220 ::03/06/03 21:18
あぁー 昨日あたりに同業者から突っ込み来るかもと思ってましたが
本当はMFCの指示値で行きたかったんですけど,砒素の人無いかと思って

今日のネタは窒素源のはなしです.

昨日 実効排気量200 [l/s]以下の人に
(・∀・)カエレ といったものの (・∀・)ムダとしなかったり
実効排気量500-1000[l/s]の人で
1.0 um/hを超える"かも"
としたのはこれにあたります.

いくら排気量が大きくても,腐ってるradical源を使っている限り(・∀・)ムダであり
排気量が小さくても,(・∀・)イイ!! radical源を使えば,そこそこ出来ます.
#それでも,デバイスとなると厳しいのですが

221 ::03/06/03 21:25
アンモニアは取り扱いが('A`) マンドクセなので窒素に限定します.
窒素って漏れても大丈夫だし,安いし…
radical源には大まかに言えば2種類
ECR, RFがある訳ですが,最近はRFの方がメジャーの様な気がします.

理由は
1. 原子状radicalが得やすい事
2. ECR程イオンによる影響が大きくない
3. 低真空でも放電できる
4. 掛ける電力値を大きくできる.
といった感じでしょうか?

ECRは励起エネルギーが大きいので,基板窒化には良いような気がします.

私なら,RFを使います.ECRはもう懲り懲り.

222 ::03/06/03 21:33
RFに関して言えば,放電には明るい放電と暗い放電があります.
膜を作るときは明るい放電でつくってまつ.

明るい放電の時は,先に挙げた原子状radicalが出てることを示す
スペクトルが得られます.
#744.6 [nm]だったかしらん?

砒素の人はたぶんどこのメーカーでも放電さえ出来たら一緒だとお思いでしょう.
#数年前私がそうでした.
メーカーによって,出てくるスペクトルは違います.ノウハウの無いメーカーから
買うと原子状radicalが出ないという話も,この業界では聞きます.

223 ::03/06/03 21:43
もちろん,砒素の人はどこで買えば良いか分からないでしょう.

ぶっちゃげ,外れないソースの一例
ttp://www.veeco.com/html/product_bymarket_proddetail.asp?ProductID=242
ただでさえ高いのに最近値上げしたらすぃ

ttp://www.svta.com/products/sources/rfplasma.htm
ここのRF 2.75にでてくるFigはaistの某先生の論文で見たような気がします.

私の所ですか?某社のカスタムチューンです.

224 ::03/06/04 23:07
ニヤニヤ(・∀・)

初めて窒化物にきた時,基板選定でサファイアはやり尽くされているので
Siとか逝ってみようかと思われるでしょうが,やめといた方が幸せになれると思います.

先に挙げたように,GaとNを出しただけで出切る訳ではないので,サファイアで初め
文献の物と大体同じXRDの半値幅, ピークの値 PLの値が出てから他の方に行きましょう.
そうそう
砒素の人のPLはHe-Neですが,こちらはHe-Cdとかです.ディテクターとか交換しましょう.

ぶっちゃげ,サファイアでも十分生きていけると思います.

SiCを基板にするのもいいですね.ただし,作ってくれるあてがあればの話です.
バルクは買えたもんじゃないです.

225 ::03/06/04 23:09
ぶっちゃげてますが,ここをもっとぶっちゃげれ!というとこないっすか?

いやぁ,もうnitrideからはなれるしな(w

226 :172:03/06/05 04:38
久々に見たら、●様の大変に参考になる書き込みが……

何故「ECRはもう懲り懲り」なのですか?
RFのが電力値を大きくできるってのはかなり感じているのです
が、ECRならではの問題というと、なんでしょう?

227 ::03/06/05 09:42
おはようございます.出勤一発目に厨房狩りをしてましたが

ECRでは主に2nd positive seriesの分子状励起窒素がでます.
まぁ周波数にですと300-420[nm]ぐらいでしょうか?

原子状の奴に比べ,lifetimeが短いような気がするんですね.ハイ
基板までの距離が稼げない ってのは結構辛いです.

ECRだとシビアにイオンによる衝突が効きます.Bias電圧を掛けたりするんですが
MBE装置を弄らなければならないので大変です.

228 :172:03/06/06 02:32
sage進行?

サファイア基板の窒化についてですが:
500度以上で数十分くらいが一般的だと思うのですが、最近(でも無い?)、
200度で90分とか低温長時間やってる人もいますよね。
温度と長さで窒化の具合がどんな感じに変わるのか、理想的な窒化は、
辺りが聞きたいれす

(ちなみにウチの所は500度20分くらいです、結構条件振ってはいますけど
結局どうすれば良いのか結論が出ていない)

229 :172:03/06/06 02:35
書き忘れてました.>>227にて詳しくお答えして下さりありがとうございます
大変参考になりますdeath

230 ::03/06/06 09:54
理想的な基盤窒化は
1. 表面が荒れない (AFMでのRMS値)
2. XPSでぶっ叩いてみて,表面の化学シフトでOによるそれが小さくなる.
もしくは,Nに因る物しかない
3. RHEEDでしつこく観察
で,調査です.

ECRの人ですか?
経験的に窒化時間は ECR > RFだと思います.
聞く所RFだと一時間程度800^{o}Cでする所も有るそうですね.

個人的な意見だと
ECRでイオン処理をしていない場合200度で90分とか低温長時間は基板表面を
荒らしてしまいそうなので却下.
かといって,1000^{o}C近くだとサファイア表面からOが乖離してきてコンタミしそうなんで
却下だと思います.

結論としては,上3つを条件を振って実施してみては?InNで0.7-0.8[eV]の膜を作ってる
所の方法が一番とは限りません.っていうか,まとめてJCGあたりにだしてくだちぃ

231 :名も無きマテリアルさん:03/06/08 02:37
応物予稿〆切age

232 :名も無きマテリアルさん:03/06/08 04:41
あと少しで完成..

233 :名も無きマテリアルさん:03/06/08 06:16
Hで上手いアイコラを発見っ!(*´Д`*)ハァハァ
このコラ上手すぎ!でもワレメはまずいだろ。(*´Д`*)ハァハァ
http://homepage3.nifty.com/coco-nut/

234 :名も無きマテリアルさん:03/06/08 23:54
>>InNで0.7-0.8[eV]
InNのEgは0.7-0.8で決定なのですか?
異論はないのですか?

235 ::03/06/09 01:20
ioffeのえらい人も
立命のえらい人もそういってる,特に立命の結晶性の評価には
ケチのつけようが無い.ただ,ab. initioが付いていっていないので
どうとも言えぬ

しかし,1.9 [eV]とのたまうよりは建設的


ふりーすたんでぃんぐの計測じゃないし…歪みとかどうなんじゃろ

236 :名も無きマテリアルさん:03/06/09 18:53
>>235
ふりーすたんでぃんぐの結晶はまだまだ難しいのかなぁ...

237 ::03/06/09 19:11
志してみれば分かる.

238 :名も無きマテリアルさん:03/06/11 21:37
あげ

239 :名も無きマテリアルさん:03/06/11 22:28
深紫外の本命はGaN?ドット?

240 ::03/06/11 22:52
UHV?
WurtziteでEg 3.45 [eV]のGaNで達成できるであろうか?

AlGaN/GaNが本命でしょう…

241 :名も無きマテリアルさん:03/06/12 01:33
YAG-GaN:擬白色

242 :名も無きマテリアルさん:03/06/13 01:46
AlNのpはできるのか?
Beでだれか実験キボーン


243 ::03/06/13 01:56
w-AlNっすか?

244 :名も無きマテリアルさん:03/06/13 21:37
wでもcでも

245 ::03/06/13 23:21
c-AlNはin Directだったはずでわ…

246 :名も無きマテリアルさん:03/06/15 21:48
wは?

247 ::03/06/15 22:07
wurziteはdirectのはず・・・

赤崎先生の御本にもそうある(w

248 :名も無きマテリアルさん:03/06/15 22:48
GaNがFIBのビームでボコボコ膨れるんですがどうにかしてください

249 ::03/06/15 23:17
TEM屋?
掘れるんでしょ?ありゃ、気合っすよ

250 ::03/06/20 01:24
いましがた、IMでURLが送られて、そこにこうある。

>青色LED訴訟、中村教授が対価請求100億円に増額

>好きなことだけやりすぎて、世間というものが判っていなかった、象牙の塔に篭りすぎたある偉大な科学者の果て無き戦い。

あの頃、本当に今のような物ができるとは思わなかったし、思えなかった。
そして、このコメントは的外れだと思うし、少なくとも研究者に受け入れられない表現だと思う。


お前等はどうですか?



251 ::03/06/20 01:25
俺は、 S.Nakamuraには相当の対価だと思うけどね。

一研究者として

252 :名も無きマテリアルさん:03/06/21 11:20
日亜もケチだと思うけど会社の研究としてやってたんだから
色々な権利は会社にあると思うよ
でなけりゃ株式会社で研究職なんて成り立たないし

プロジェクトXでヤミ研とかで頑張った社員が
最後に対価求めて訴訟とか言ったら萎えるよ

253 ::03/06/21 23:40
でもさ?

俺達ってパトロンの奴隷じゃないですよ?

254 :名も無きマテリアルさん:03/06/22 11:13
パトロンがいないと研究もできないし

研究費や機材、同僚のアドバイス等々の条件もあるだろうし
全部自分の成果と言い切るのもどうかと…

255 ::03/06/22 13:53
それをいうとなー
III nitrideは赤崎先生が一番貢献してるもんな…

256 :名も無きマテリアルさん:03/06/23 17:07
age

257 :名も無きマテリアルさん:03/06/23 18:25
☆可愛い彼女が貴方のために・・・☆
↓ ↓ ↓☆見て見て☆↓ ↓ ↓
http://yahooo.s2.x-beat.com/linkvp/linkvp.html

258 :名も無きマテリアルさん:03/06/25 23:29
しかしまー中村修二がいなければ、日亜で青色LEDは実現されなかったとは言い切れるだろ。

会社にウン千億の利益をもたらし、それを独占的に続けられるような受注を営業マンが取ってきたら
その営業に会社はどれだけの報酬を支払うか?と考えると、中村修二の比じゃないんじゃないかな。
技術者の立場が低く見られがちだと思う。

私個人としては、結果はどおあれ、この裁判が技術者の立場向上に繋がる事を期待。




259 :名も無きマテリアルさん:03/07/07 12:02
age

260 :山崎 渉:03/07/12 12:26

 __∧_∧_
 |(  ^^ )| <寝るぽ(^^)
 |\⌒⌒⌒\
 \ |⌒⌒⌒~|         山崎渉
   ~ ̄ ̄ ̄ ̄

261 :山崎 渉:03/07/15 12:45

 __∧_∧_
 |(  ^^ )| <寝るぽ(^^)
 |\⌒⌒⌒\
 \ |⌒⌒⌒~|         山崎渉
   ~ ̄ ̄ ̄ ̄

262 :名も無きマテリアルさん:03/08/12 22:16
age

263 :名も無きマテリアルさん:03/08/12 22:59
韓国の企業が特許侵害を認めたらしいね

264 :名も無きマテリアルさん:03/08/14 22:24
日亜に残ってればそれ相応の出世はあっただろうね

265 :名も無きマテリアルさん:03/08/14 23:40
いや、あの、その、
GaNじゃなくてNbNとかTiNとかの超伝導体の
研究はもうおしまいなんでしょうか?

266 :山崎 渉:03/08/15 17:57
    (⌒V⌒)
   │ ^ ^ │<これからも僕を応援して下さいね(^^)。
  ⊂|    |つ
   (_)(_)                      山崎パン

267 :名も無きマテリアルさん:03/08/18 23:17
>>265
終わっていないけど、下火の感がある
材料探しは、ほぼやり尽くしたんじゃない?
超伝導は、理論的な解明と理論の指針や補助するような実験が残されている

理論はBCSから大きく展開してないんだよな・・・
実験が大きく先行している典型的な分野

268 :名も無きマテリアルさん:03/09/04 13:20
応物どうだった?

269 :名も無きマテリアルさん:03/09/04 20:45
別に変な発表はなかったと思うが、
SLMの観察の発表はどうかなぁ。
あれはちょっとやばいよね。
怪しさ大爆発。

270 :名も無きマテリアルさん:03/09/09 00:46
砒素系から窒素系へ切り替えようとしているMBE使いです。
MBEでGaNへのBeドープとかって低抵抗なものはできないのですか?
MBEでもMgドープが基本?GaN:Beで高抵抗になる理由は?
Beドープに成功、Beドープで失敗という論文があれば、キボーン。教えて君でスマソ。


271 :名も無きマテリアルさん:03/09/09 03:16
サファイアってエッチング出来ないのかな?やっぱり。
MBEで削ろうにもやたら時間がかかる言うし・・・

272 ::03/09/09 07:24
この間の応物でありました。

273 ::03/09/09 07:31
あー、そういえばメモってたのね

1a-H-4
RF-MBE法によるnonpolar GaNへのBeドーピング
早大理工 ○袖澤 純,渡 也寸雅,山水大史,吉澤銀河

N面のGaNだと高抵抗でred emissionになるけど
Ga面だとp型に

では, 無極性だとどうなるかってな話です。
結果とかとしては, 高抵抗化, red emissionこの訳として彼らは
Beがdopeされた事による格子欠陥ではないかといってました。

274 ::03/09/09 07:35
砒素から乗り換える人は, Qmassで残留Asに気をつけてね.
ラジカルガンにも拘ってね.

ion getter pump, tmpの排気量も気を使ってね.

いきなり, GaAsの上とかじゃなくAl2O3で勝手を覚えてから
した方がいいですよ。

これ先達の助言

275 :名も無きマテリアルさん:03/11/23 19:38
うーんタメになった。ageちゃいます

276 :名も無きマテリアルさん:04/02/01 02:04
InNは将来、使えるのですか?

277 :名も無きマテリアルさん:04/02/01 03:27
>>276
移動度大なので高速デバイスに向く
バソドギャップもあれなので長波長域もカバー

でも、本当に商業ベースに乗るほど量産できるのかはまだ謎。

278 ::04/02/01 11:47
デバイスに向く割には
熱に弱そうですけどね、たしか酸素にも弱いんじゃ?

279 :名も無きマテリアルさん:04/02/13 17:55
AlInGaNやってる人はいませんか?

280 ::04/02/13 22:45
えーっと
混合率はいかほど? あと、立方 六方?

281 :名も無きマテリアルさん:04/02/14 01:09
昔、InNにArレーザかHe-Neレーザ当てて倍波を拾って「InNが光ったぁ」
と堂々と学会発表してた香具師がいたなぁ。。。

282 :名も無きマテリアルさん:04/02/14 09:23
>>231
詳細キボソ。質疑応答あたりでバレて気まずい雰囲気になった?

283 :名も無きマテリアルさん:04/02/14 10:16
>>281
同上
記憶がないですね(w

ちなみに, 倍波だと
He-Neだと 1.0 eVあたりですね.
Arだと 1.2 eVあたり

284 :名も無きマテリアルさん:04/02/18 15:59
中村氏裁判勝ったね

285 :名も無きマテリアルさん:04/02/19 10:30
吸収係数どうなんですか?
文献等知ってられるかたおられましたらご教授ください。

286 :名も無きマテリアルさん:04/03/12 10:43
そろそろ応物ですね。
装置の調子が悪くて実験が進みません。

みなさん発表準備は進んでるのでしょうか?



287 :白色LEDマン ◆d8f.ATICkc :04/04/04 14:28
春の応物で、InGaNの発行機構のセッション見てたけど、
何年見ても、京大の顕微PLの研究は不思議だと思う。
いや、研究自身は面白いと思うし
なんとなく観察空間がマクロスコピックからミクロになったから
局在、局在って言葉が、目に見える形で見えるのはいいんだけど、
結局、今回の改良したプローブも200 [nm] だろ?
解像度がそれだけしか無いんなら、In原子レベルの分散はまだ見るわけないよね。
(Inは何オングストロームぐらいで並んでいる計算になるのかな?)
そんでもって、強発光部位があんなに非周期的手に点在しているんじゃ
教科書に書いてある理想モデルの量子ドットの結晶とはいえないよね…
だから、強発光している部分が、その局所空間で
ミクロレベルで量子ドットみたいな配列になっているって事?
そういう介錯って、おかしくね?
GaAs系が転位密度の低減で非発光中心を抑制するって話なのに
GaNみたいなボコボコの結晶でも、局所的な量子ドットの様なものがあれば
大きな転位密度に関わらず光るって理屈なら、
何の材料でも局所的な量子ドットの様なものがあれば光るって事になるじゃん
理論的には、そこらへんはどうなん?
教えて偉い人


288 :名も無きマテリアルさん:04/04/04 23:25
相分離に関してなんか言ってました?

289 :名も無きマテリアルさん:04/05/14 23:00
ELO-GaN(Si)の高転移領域の抵抗率ってどのぐらいですか?

290 :名も無きマテリアルさん:04/05/23 20:23
んなの条件によってどうにでも変わるだろ

291 :応物ピンチ!:04/08/29 02:13
AlGaNとGaNのヘテロ界面でできる二次元電子ガスの形成メカニズムについてわかりやすく紹介している論文やサイトや雑誌を紹介してください!
分極によってキャリアが集まるのは大体わかるんだけどさ、そのキャリアが結構多くてさ、どういう理由でどっから来れば13乗/cm2も出るのかわからないんですよ。。。
誰か助けてください。もしくはヒントください。

292 :名も無きマテリアルさん:04/08/29 02:18
GaN系じゃなくても二次元電子ガスがでてくるのはわかってる?

293 :応物ピンチ!:04/08/29 02:25
>>292
返信ありがとうございます。実は全然わかっておりませんで。GaAs系とかの二次元
電子ガスとかですか?
研究対象がGaNというわけでなくって表面で似たようなことが起きてるかもということで
ヒントとしたいのですが、13乗/cm2という数値について詳しく書いてあるのが手元に
ありません。なにか良いのかあれば紹介してください。

294 :名も無きマテリアルさん:04/08/29 03:44
答えは既に書いてある通り、AlGaN/GaN系では分極が大きいから10^13cm-2まで行くんでしょ。
>>291を読んだ感じ、その意味がわかってないというか、二次元電子ガスそのものがわかってないのでは。

二次元電子ガスは電子系の専攻の友人にHEMTってなーに?って聞けば教えてくれるよ。(アホでなきゃ)
電子系の友人がいなけりゃ、普通の電子デバイスの教科書みれば載ってるから、図書館行って読んでみれば。
キーワードはHEMT、2DEG (窒化物に特化すれば Piezo, Piezoelectric とかもあわせて)

295 :応物ピンチ!:04/08/29 08:24
>>294
またまたありがとうございます。HEMTなども含めいろいろさらに調べてみます。
2DEGで検索すると今までの検索でなかったのも引っかかったので感謝してます。
しかし見落としているのかどうしても「アンドープの層から分極によってでもなんでも
そんな大量にキャリアが発生する」のがなかなか書いてないんです。
分極によってキャリアが集まるのはわかります。しかしドープしてない層から13乗もの
キャリアが集まるんですかね?っていうかバルクにあるんですかね。
常識なのかも知れないんですけどそれを例えば真性キャリア密度や、欠陥密度から出る
キャリア密度などからこれだけキャリアがあってこれらを集めているんだよっていう
説明がほしいんです。
もう何がなんだかわからなくなって来ていますが一度同じような疑問やらにぶつかった
人もいると思うのですが・・・恥をしのんで質問します。。。(なんかのキッカケで
あーそういうことかとなりそうなんですがね・・・)


296 :名も無きマテリアルさん:04/08/29 11:16
応物ね・・・

AlGaN/GaNか・・・10^13 cm^-2か
ニヤニヤ (・∀・)

297 :名も無きマテリアルさん:04/08/29 11:30
多分、M1ぐらいなんだろうなぁと邪推 ニヤニヤ(・∀・)するのは可哀想なので

多分な、半導体工学のバンド図から追っていけばよいと思う。
多分, HEMTも在ると思われるし

この場合、キャリアってなんですか?
分極するとどうなりますか?

298 :名も無きマテリアルさん:04/08/29 15:35
矩形近似したバンド図しか知らないんじゃ。しっかりしたバンド図がかければ
ttp://nina.ecse.rpi.edu/shur/Ch5/img012.gif
ヘテロ界面にはバンドのくぼみができて、分極がなくともキャリアが集まることがイメージ的にはわかる。
これがわかってないとなると学部生並みの知識も無いのがまるわかりで、質疑応答で恥かくぞ。
先生の名誉も傷つけちゃうから最後にしっかり構ってもらうべき
AlGaAs/GaAs界面だと11乗台、分極のあるAlGaN/GaN界面だと13乗台

299 ::04/08/29 17:33
おひさしゅう

JSAPのホームページから応物のプログラムを見ておもったのだけれでも
Si基板上だとオートドーピングの可能性もあり

AlGaN/GaNだと OMVPEでしょ?

300 :名も無きマテリアルさん:04/08/29 18:13
お、懐かしい人がいるな。
AlGaN/GaNって別にMBEでもありがちなのでは?特に超格子作ってる人達

301 ::04/08/29 23:16
>300
300ゲトー オメー

そうでもないよ、
結局の所、転位の影響が出ない程度に厚膜積まないといけないですよね。
とすると、数マイクロは必要になるよ。

超格子をつくってからXRCでフリンジを出すのはそう難しくはないけど、
走る物を造る事とは別問題ですよ。

GaAsから入ってきた者としては、安価なバルクが入ってからがMBEの本領かな
と思いますです。

302 :名も無きマテリアルさん:04/09/05 01:30
応物どーだったよ

303 :名も無きマテリアルさん:04/09/06 22:54
もしやこの人はスレの人か?とか思って聞いていたよ。
突っ込みが厳しくて質疑応答が辛そうだった人?
俺も春にはニヤニヤ(・∀・)されているかもな。

304 ::04/09/07 00:08
応物でました。
ここ数年来微妙にジャンルが違う所で働いているので、4日目だけ窒化物でました。

新鮮かなぁと思っていましたら、ここ数年変わってないなぁと思いましたです。

結論にもう何年「転位のせいです」といわれつづけるのかしら?

でも、上智のナノロッドでしたっけ?あれは面白いなぁと

305 :名も無きマテリアルさん:04/09/08 01:10
予稿集しか見てないんだけど、あれ本当に橙に光ってたん?

306 :あぼーん:あぼーん
あぼーん

307 :名も無きマテリアルさん:05/01/09 21:42:59
締め切りは明日ですよ

308 :名も無きマテリアルさん:05/01/10 02:04:10
おやびんから返事が返ってこねええええ
独断でだしちまおうか

309 :名も無きマテリアルさん:05/01/11 21:08:21
スレ前半でGaNの研究なんか就職に何の役にも立たないってありますけど
一体何の研究すれば役に立つんですか??
C言語でデバイスシミュレーションをする研究室なんですけど
来年から卒研なので研究テーマに悩んでます。


310 ::05/01/11 22:56:03
>デバイスシミュレーション
あれかなー、ピエゾのある系をどこまで再現できるかだと思いますね。

SiとかGaAsと比べると大変じゃないですかね、
物性値も結構、文献で異なってきますよね。

>一体何の研究すれば役に立つんですか??
化合物半導体の先輩格のGaAsと比較して、デバイス先行で、
いろんな所でサイエンスされてないと感じます。
だから、Aという所ではLT-AlNが非常に良いのにNという所では
LT-GaNの方が寧ろいいという。

では、どこが違うのか、何でそうなるのかという明確な理由づけ
がなされていない・・・

詰る所、我々実験屋が理論屋の興味を引ける結果を出せていない
からでしょうか・・・

311 :名も無きマテリアルさん:05/01/16 15:43:11
>309
TR大のF研さんですか?

312 :名も無きマテリアルさん:05/01/24 01:27:18
どこかの大学で、GaN成長をICBでやってる研究室があるって
聞いたんだけどしってる?

313 :名も無きマテリアルさん:05/01/26 13:39:05
ICBってひょっとしてイオンクラスタービームのこと?

314 :名も無きマテリアルさん:05/02/14 22:38:02
情報工学科なんですけど半導体の研究室に配属されてしまいました…。
どうやら>>310さんのようにデバイスのシミュレーションをやるみたいなんですけど
一体どのデバイスを研究対象にすれば良いでしょう?
諸先輩方はキンク現象やゲートラグ?の解析、SeZn、InP、GaN、GaAsの解析をしてるみたいです。。

315 :314:05/02/14 22:39:49
どのデバイスを研究対象にすれば良いでしょうとか言われても困りますよねw
学会での発表を積極的にすることになると思うので将来性があるものって何でしょう?って感じでご教授ください。

316 :名も無きマテリアルさん:05/02/15 01:31:45
局在励起子モデルって正しいの?

317 :名も無きマテリアルさん:05/02/15 17:59:43
おれはキャンサーの方が成長しそうだよ。

318 ::05/02/20 14:41:41
>>314
> 学会での発表を積極的にすることになると思うので将来性があるものって何でしょう?
バカセ過程に進むとおっしゃると?
博士課程はやめておいたほうが良いような…

> 一体どのデバイスを研究対象にすれば良いでしょう?
高電界型HEMTとか?

仮想デバイスを作って、実際のデバイスと比較するという趣旨で
出来るだけ楽に修士課程まで出たいと仰るのでしたら, GaAsのようにある程度枯れた材料
の方が良いと思います。

結果が出ないかもしれないけど、茨の道を歩めるとかモデルを考案できる才能が
自分にはあると仰るのでしたら h-nitridesでも宜しいでしょうし,
出来るか分かりませんがc-nitirdesとかでも良いと思います。

是非, 後者の方に

319 :名も無きマテリアルさん:05/02/27 15:58:12
Ga面とN面の硬度は他の材料と比較してどのくらいの値なのか
知っている方教えて頂けないでしょうか。

320 ::05/02/27 17:48:50
polatiryと硬度に関係はないと思います。

表面の平坦性とか, 光物性は成長中のGa, N adatomに
大いに寄与するでしょうから変わってくるでしょうが

通常OM(MO)VPEで成長させると, Ga面が出ますし
硬度を測った報告でしたらOM(MO)VPE grown GaNでしょう.

321 :名も無きマテリアルさん:05/03/02 01:07:57
キャリアの拡散距離が極めて短いから、InGaNにおける高発光効率と転位・欠陥との相関性は結局無いんですか?

322 :名も無きマテリアルさん:05/03/02 01:10:20
それを次回の応物で発表してくれたまえ

323 :名も無きマテリアルさん:05/03/04 20:11:56
京大の人が主張してたやつかな?

324 :名も無きマテリアルさん:2005/03/26(土) 22:08:00
AlGaN、GaN、InGaNの欠陥で、転位以外の欠陥について、ぶっちゃけてくれ。
vacancyとかinterstitialとか、そんなのは要らん。
実際にやってる人はもっと色々見てるだろ。
よくわからなさ過ぎて、発表すら出来なさそうなことを教えてくれ。

325 :名も無きマテリアルさん:2005/04/10(日) 09:38:10
ガリウム高騰始まったみたいだけど。酸化亜鉛に負けかな?

326 :中の人:2005/04/15(金) 12:22:44
川崎研の方、利益誘導は辞めて下さい(wwwwww

327 :名も無きマテリアルさん:2005/04/17(日) 21:15:00
>>324
黒くなることはしょっちゅうですが何か?

328 :名も無きマテリアルさん:2005/04/17(日) 21:31:19
フラックス法の中の人
キター?

329 :名も無きマテリアルさん:2005/05/14(土) 01:50:39
発光機構キタ━━━━━(゚(゚∀(゚∀゚(☆∀☆)゚∀゚)∀゚)゚)━━━━━!!

330 :名も無きマテリアルさん:2005/05/14(土) 12:11:00
どこの論文誌の話?学会?

331 :名も無きマテリアルさん:2005/06/01(水) 00:35:28
転位が局在準位作って発光するってまじでじま?
確か2〜3eV…。

332 :名も無きマテリアルさん:2005/06/06(月) 23:54:34
応物〆切が…(;´Д`)

333 :名も無きマテリアルさん:2005/06/10(金) 16:30:03
ざ〜っと読んでみたが成長屋の方が多いね(´・ω・`)

334 :名も無きマテリアルさん:2005/06/11(土) 01:44:28
窒化物はデバイス作っても窒化物結晶成長のほうで出す事が多いしな

335 :名も無きマテリアルさん:2005/06/15(水) 23:51:21
2um ud-GaN 5万円で買いませんか?


336 :名も無きマテリアルさん:2005/06/15(水) 23:52:20
dふぁ

337 :GaN junky:2005/07/23(土) 02:47:36
NH3ガスソースMBEについて教えてください!なぜNH3ではAsのようにガスクラッカーセルではなく
on surface cracking(OSC)なのでしょうか?Asのようにガスクラッカーセルを用いては
いけない理由はあるのでしょうか。教えてください。

338 :名も無きマテリアルさん:2005/07/23(土) 08:01:06
サファイア基板の(0.0.0.1)面を(c面)を使用しいているメーカー
が多いが。C面ジャストより微傾斜OFFの方がSTEPが出やすいので
お勧めです。だいたい0.2°ずらすってのがトレンド。
(1.1.2.0)面を使用しているメーカーもあるがやはり微傾斜OFFしてる。
STEPでドープ材料のコントロールをするみたいだ。

339 :名も無きマテリアルさん:2005/07/23(土) 21:00:49
(1.1.2.0)?

340 ::2005/07/23(土) 23:45:45
>>337
的を射た話ではないのですが
GaAsは表面でAs_{2}が反応に寄与しているからだと思います。
砒素は反応性が強いのです。だから、As_{2}の形でGaAs表面でも反応します。

一方、GaNにかえって、もし仮にNH_{3}が熱的にクラッキングされ
原子状窒素が得られたとしても、寿命から考えて、部分は分子窒素になるでしょう。
そもそも、熱的なクラッキングで原子状窒素がえられないでしょう。

その様な出口でクラッキングすると言う無駄な努力をしなくても、
OSCでよいのですからOSCを用いていると考えては如何でしょう。

341 :名も無きマテリアルさん:2005/07/23(土) 23:48:00
>結果が出ないかもしれないけど、茨の道を歩めるとかモデルを考案できる才能が
>自分にはあると仰るのでしたら h-nitridesでも宜しいでしょうし,
>出来るか分かりませんがc-nitrideとかでも良いと思います。

h-nitride、c-nitrideってなんだ?
六方晶、立方晶?



342 ::2005/07/24(日) 00:04:28
>>341

六方晶系III族窒化物 == h-nitrides
立方晶系III族窒化物 == c-nitrides
(系か形)

343 :774& ◆FJotLDPJXU :2005/07/28(木) 11:38:10
>339
そうa面です。

344 :名も無きマテリアルさん:2005/07/30(土) 01:08:33
そろそろ応物用に資料を作らねば・・・

345 :名も無きマテリアルさん:2005/07/30(土) 01:37:52
そろそろ応物用に試料作らねば・・・

346 :名も無きマテリアルさん:2005/09/08(木) 22:04:12
仕事忙しくて学会どころじゃないのですが、
徳島の初日、2日目午前など、発表はまともに
あったのでしょうか?
現地の方レポートよろしく


347 :名も無きマテリアルさん:2005/09/09(金) 21:41:00
初日午前、いくつかキャンセル 午後はほとんどあったと思う。
名城がやっぱ強いね

348 :名も無きマテリアルさん:2005/09/15(木) 03:09:09
それにしても、座長ってなんなんだろうね。
ここのセッションみて思った。

349 :名も無きマテリアルさん:2005/12/10(土) 14:22:09
みなさま年末進行いかがお過ごしでしょうか。
春応物締め切りが微妙だー。

350 :名も無きマテリアルさん:2005/12/13(火) 01:44:34
見切り発車いっとく?

351 :名も無きマテリアルさん:2005/12/13(火) 03:38:43
>350
基本っしょー?

352 :名も無きマテリアルさん:2006/01/03(火) 19:58:22
エピメーカーのPOWEDCは、どんな会社ですか?
エリートの集団で、国内のトランジスタ用エピなら
敵はないと聞きますが、本当ですか??

353 :名も無きマテリアルさん:2006/01/05(木) 15:22:12
>>339
(1.1.-2.0)の間違いでしょ。ふつうに。

354 :名も無きマテリアルさん:2006/01/08(日) 09:36:36
>352
そんなの知ってても、普通話してくれないよーw
エピ会社の比較検討なんて企業とかじゃないとしてないだろうし。
目的の用途で求めるエピも違ってくるしね。

ちなみに学会レベルで発表されてるのをみると
他のところが頑張ってるような…
光ものと混同してないかな?

とりあえず自分で買って比較するしか無いんじゃないかなー。
んで、よければ結果聞かせてw

355 :名も無きマテリアルさん:2006/01/26(木) 17:19:12
>>352

POWDECだろ?

SONYからスピンアウトしたとのことだが、
半導体ベンチャーは金がかかるから起業が超大変だったらしい。

優良ベンチャーじゃないのかな?
生活の保障ができないから給料が高くて、
社員は億万長者だと聞いたことがある。(ほんとか?)

生活の安定を捨ててまで、死に物狂いで頑張っている連中なら
エリートでなくても、きっと成功するのでは?

結構デカイ成長もやってると聞いたが
実物は見たことないからわがんね。
顧客の要求に沿うべく努力するところが、
彼等の強みであり、生き甲斐なんだから
必要なスペックと予算で注文しる!

漏れにも結果聞かせて。

356 :名も無きマテリアルさん:2006/02/04(土) 00:36:28
「青色発光ダイオード開発物語」見たわな。

357 :名も無きマテリアルさん :2006/02/04(土) 06:03:58
日亜ついに減収減益になったな

358 :名も無きマテリアルさん:2006/02/14(火) 12:01:07
応物だるうい

359 :名も無きマテリアルさん:2006/02/17(金) 15:59:26
current collapseはなぜおこるのですか?


360 :名も無きマテリアルさん:2006/02/20(月) 20:36:05
>>359
キーワードをあげようか。

表面
ドレイン側ゲート端近傍
高電界
電子注入
時定数

361 :名も無きマテリアルさん:2006/02/21(火) 03:32:05
俺の応物データはいつになったらでますか?

362 :名も無きマテリアルさん:2006/02/22(水) 09:17:16
>>360
5のキーワード
ドレイン側ゲート端近傍
高電界
電子注入
時定数
がバルク(下地GaN)側の原因なのか
表面(プルロセスorパシベーション等)の原因なのか
分離して教えてください
宜しくお願い致します。

363 :名も無きマテリアルさん:2006/02/22(水) 20:56:43
>>362
結局、電子トラップが主な原因なんだから
そこんとこ考えたらわかるでしょ。

(・∀・)ニヤニヤ

364 :名も無きマテリアルさん:2006/02/22(水) 22:48:50
>>363
結局あなたも理解してないのでは???
表面はマイナスに帯電
ゲート直下の2DEG近傍はドナーイオン
確かにプラスとマイナスの帯電をどこの箇所で起きているかで決めるだけの
単純なことのようだが、その理由を電子トラップだけで解決するのは
ナンセンスでは...。

365 :名も無きマテリアルさん:2006/02/23(木) 09:09:27
>>364
確かに...。
表面で電子トラップ
アクセプターイオンによる電子トラップ
電子を捕獲する時定数の長いインピリティー
電子トラップだけでもいろいろあると思います。
>>360
分離して考えて探求するのは良い考えだと思います。

366 :名も無きマテリアルさん:2006/02/23(木) 10:29:03
結局、帯電現象による2DEG濃度と移動度の低下がドレイン電流低下を引き起こす。
その量は表面が支配的なんで、表面保護でほぼ解決しちゃうと。
でもSiNxとかだと耐圧が低くくてすぐ逝っちゃう。

AlGaN薄膜中の現象分離は難しいぞぉ〜みんな気合いだ。ヽ(´ー`)ノ

367 :名も無きマテリアルさん:2006/02/23(木) 12:59:33
GaNを利用したHEMTであるのだから
高耐圧が必須条件

やはり高耐圧を狙えば、不純物準位ができてしまうので
パシベーションだけ解決できるものと、できないものがあるのが
カレントコラプスの難しいところでは?

368 :名も無きマテリアルさん:2006/04/09(日) 09:13:20
Gan系電子デバイス用の基板って、HEMTに限るとどこの技術が一番進んでるんだろ?

やっぱりパウデックかな?東芝?サンケン?

369 :名も無きマテリアルさん:2006/04/10(月) 00:14:05
発表なんかで一番耐圧がでている基板は
やっぱりあのベンチャー企業の使ってるらしいよ!!!


370 :368:2006/04/11(火) 06:49:04
>>369
カキコサンクスです。

まじっすか。
じゃあ2・3年後には上場かなぁ>パウ社

てかぶっちゃけGaN系電子デバイスやりたいならどこがおすすめ?
日亜って電子デバイスやってるのかな・・・・・・
偉い人教えて〜

371 :名も無きマテリアルさん:2006/04/12(水) 03:12:06
ドクター持ってないならそこまで絞っても志望どおりいけることはまずない

372 :368:2006/04/12(水) 06:32:48
>>371
まあ、そうかもね。けど、どこがいいのかやっぱり知りたいのよ。

373 :名も無きマテリアルさん :2006/04/12(水) 18:56:51
>>370
日亜はやってない

374 :名も無きマテリアルさん:2006/04/12(水) 21:06:17
>>373
発表してたよ

375 :名も無きマテリアルさん:2006/04/12(水) 21:07:47
a

376 :368:2006/04/13(木) 15:33:09
してたしてた

377 :368:2006/04/15(土) 10:46:57
結局最強は日亜ってことでFA?

378 :名も無きマテリアルさん:2006/05/05(金) 00:11:39
日亜は技術あるし物もその辺の発表のやつよりいいのできてる
ただ、会社としてははやる気無いらしい・・・
耐圧は今後は油につけたりして、どう絶縁するかになるんだろうね。

379 :名も無きマテリアルさん:2006/05/08(月) 04:45:59
GaN照明っていつぐらいに蛍光灯と置き換わるんだろ。

2010とかいわれてるけど、実際はもっと早そうな予感

380 :名も無きマテリアルさん:2006/05/09(火) 01:21:52
まず車載されるかもね

381 :名も無きマテリアルさん :2006/05/13(土) 07:19:45
すでにシャサイされてる

382 :名も無きマテリアルさん:2006/05/15(月) 20:52:22
やっぱりトヨタ車は豊田合成のつかってるの?

383 :名も無きマテリアルさん:2006/05/27(土) 08:01:42
>>382
TOYOTA車にも搭載されてるが他にも搭載されている

384 :名も無きマテリアルさん:2006/05/27(土) 23:51:43
サファイア基板の裏にCO2レーザーで格子状に
溝を入れたら、そらなくなった

385 :名も無きマテリアルさん:2006/05/28(日) 07:25:56
↑kwsk

386 :名も無きマテリアルさん:2006/05/30(火) 05:58:34
溝って…成長は均一?
溝部分は成長中の基板温度ムラが心配なんだが。

387 :名も無きマテリアルさん:2006/05/30(火) 20:32:32
成長は均一
温度ムラは想像以上に少ない
溝って言い方が深いというイメージだがCO2レーザーで
パルスに入れるだけなので、深いところで100um程度。
恐らく応力が開放されてるんだろうと思う。
サファイアの裏面は粗面で普通でも4-50umの傷(加工)が
入ってる状態。ただランダムすぎる。
某A野教授いわく、サファイアの表裏での温度差はせいぜい
2-4℃程度。溝を入れてもさほど変化はない。
それだったら基板の厚さムラの方が問題になるやろ。



388 :名も無きマテリアルさん:2006/05/31(水) 23:10:12
>>384
の書込みをもって、公知の技術となりました。


389 :名も無きマテリアルさん:2006/06/01(木) 20:00:53
エキシマでサファイア表面に溝つけても応力は
開放されるな

390 :名も無きマテリアルさん:2006/06/04(日) 07:15:37
せっかくサセプターを自前で作ったんだが
サファイア基板が入らない 





391 :名も無きマテリアルさん:2006/06/04(日) 21:39:17
グラファイト?

392 :名も無きマテリアルさん:2006/06/10(土) 17:19:16
NTTのホストみたいな人、福井にいっちゃたね

393 :名も無きマテリアルさん:2006/06/15(木) 20:49:28
静岡大の教授の作成した図面の成膜炉は逆さまにすると
中村さんのツーフローなんだけどなぁ

394 :がーん:2006/06/15(木) 23:10:47
GaNをサファイア上よりも、GaN結晶上に積層した方が良いのは自明なんだけど、現状、GaNのバルク結晶ができていないっていう問題がありますよね。米国の空軍、海軍、GE、大阪大、東北大、日亜、住電、三菱化学などがGaNのバルク化に挑戦してるとか。

395 :名も無きマテリアルさん:2006/06/17(土) 23:58:57
GaNバルクって以前からやってるが。。
今更作ってメリットあるんだろうか?せいぜいレーザーだろ?
LEDでも上下電極でOKだろうが遅いよ開発が

396 :名も無きマテリアルさん:2006/06/18(日) 18:19:32
394のバルクGaNの意味を、395はフリースタンディングGaN基板と勘違いしてる気がする

397 ::2006/06/24(土) 11:03:41
>>394-395
昔、Si基板上にGaAsを堆積->OEICとかいう話がありました。
結局、GaAsの結晶品質が向上して、
わざわざ、質の悪いGaAs/Siを使う必要があるのかとなり、
研究うちきられ、粛清をくらったなぁ

おっさんのつたない経験でいうのもなんなんですが、
やはり、液相でつくる基板は、気相で作るものより品質が
よいです。
394さんが出されているものは、気相と液相が混ざってますね。


398 :名も無きマテリアルさん:2006/06/27(火) 02:57:02
HEMTに高抵抗GaNバルクor自立基板使いてぇ。

399 :名も無きマテリアルさん:2006/07/01(土) 01:52:47
自立基板って何?

400 :名も無きマテリアルさん:2006/07/01(土) 08:37:09
サファイア上のHVPEで積層したGaNを
ペろっとはがしたのが自立基板

401 :名も無きマテリアルさん:2006/07/01(土) 15:15:17
GaN自立基板は、サファイアよりGaAsの方がメインじゃない?

402 :名も無きマテリアルさん:2006/07/01(土) 18:22:54
GaAs基板が還元雰囲気で高温に耐えれるか?

403 :名も無きマテリアルさん:2006/07/03(月) 11:26:39
GaN基板で国内最大手だと思われる住電はGaAs上HVPEだけど、GaAsが最後まで残っているかっていうのは書いていない。

404 :名も無きマテリアルさん:2006/07/05(水) 00:12:16
P社はサファイア上に20〜30μm成長させてるそうです。
MOCVDで。

405 :名も無きマテリアルさん:2006/07/05(水) 20:23:34
GaNって熱伝導いいの?

406 :age:2006/07/09(日) 12:35:22
結構いい、けど、Cuほどよくはない。

407 :名も無きマテリアルさん :2006/07/17(月) 17:43:49
GaNの単結晶ってどのくらいのサイズで作れるの?

408 :名も無きマテリアルさん:2006/08/21(月) 09:42:27
a

409 :名も無きマテリアルさん:2006/08/27(日) 14:39:28
今週から応物だぁね。

410 :名も無きマテリアルさん:2006/11/14(火) 03:20:51
PS3のBlueRay はソニー製レーザーらしい。
まだ日亜、ソニー以外は出てこないの?

他にどこもやらないなら、俺がやるから
誰か100億ほど投資してくれ

411 :名も無きマテリアルさん:2006/11/25(土) 21:58:58
特許裁判で日亜ソニー連合を打ち破ってください。
某社はできているようだがチキンなため売ってない。

412 :名も無きマテリアルさん:2006/12/10(日) 03:57:58
最近はクロスライセンスしてるところがいくつもあるんじゃないの

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